シリコン深掘りドライエッチング、深掘りRIE（DeepRIE）とも呼ばれる。Siのエッチングとフッ化物保護膜のデポジションを交互に繰り返すことにより、シリコンの垂直な深掘りを高速かつ高アスペクト比で実現するドライエッチング技術。エッチングにはSF₆ガス、保護膜にはC₄F₈ガスが主に使用され、高い高い異方性のエッチングが可能になる。