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分子素子

molecular electronic device

 分子内に局在化した電子を光や電圧で制御し,集積度1016ビット/cm2のデバイス(10-8×10-8cm2サイズの分子が1ビットの情報を持つとして)をめざす素子.1970年代の終わりにCarterらにより高分子の作る周期的ポテンシャル中を走る電子の透過をポテンシャルの谷の深さで制御する分子スイッチが提案された.分子レベルで配列と機能を制御するので,LB膜が有効と考えられ,例えば光合成の初期過程の電子の流れを模倣したり,光により導電性が変わる素子などの研究がなされている.しかしながら,概念が先行しているきらいがあり,今後具体的な設計指針の確立が望まれる.