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微量分析

trace analysis

 高輝度SOR光を励起源として試料に照射し,試料中の不純物から放出される蛍光X線のエネルギー分析をすることによって,超微量分析が可能になる.各種加工処理を施した基板表面に残存する重金属などの微量不純物をSOR光を用いた蛍光X線分析(XRF)によって数10ppb程度の極微量汚染まで検出されている.ULSI用シリコン表面の汚染では108atoms/cm2オーダまで検出可能である.