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EUV露光装置

extreme ultra violet exposure equipment

 半導体の微細パターンを露光するには,露光の波長を短くする必要があり,現在では紫外線(波長193 nm等)が用いられている.さらに微細化するために,EUV (Extreme ultraviolet) 光,波長13.5 nmが検討されている.この波長はほとんどX線の領域であり,通常のレンズが使用できないなど光学系の難易度が高く,今後の課題が多い.