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イオン注入

ion implantation

 高エネルギーイオン(10~200keV)を固体表面に照射し,サブミクロンオーダの深さまで侵入させ,これによって,固体表面層の特性を改善する技術である.用いる装置をイオン注入装置という.特に,半導体材料への不純物ドーピング技術として利用される.