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イオン注入
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====== イオン注入 ====== ==== ion implantation ==== {{tag>..c18}} 高エネルギーイオン(10~200keV)を固体表面に照射し,サブミクロンオーダの深さまで侵入させ,これによって,固体表面層の特性を改善する技術である.用いる装置を[[15:1000450|イオン注入装置]]という.特に,半導体材料への不純物ドーピング技術として利用される. ~~NOCACHE~~
18/1000449.txt
· 最終更新: 2017/07/19 08:50 by
127.0.0.1
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