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分子線エピタキシー

molecular beam epitaxy

 10-8Pa以上の超高真空中で,原料を加熱して発生させた分子ビームを加熱した基板に照射することにより,基板上にエピタキシャル成長(基板単結晶に対してある特定の方位で異種の結晶膜を成長させること)膜を形成する方法.MBE法と略称される.各種半導体,金属,超電導体,絶縁体のMBEが可能であるが,特にGaAs,GaP,GaAsPなど化合物半導体膜の形成によく利用される.エピタキシャル成長させるためには,基板温度や圧力条件を最適に選定・制御することが必要となる.