内容へ移動
ユーザ用ツール
管理
ユーザー登録
ログイン
サイト用ツール
検索
ツール
文書の表示
以前のリビジョン
バックリンク
最近の変更
メディアマネージャー
サイトマップ
ユーザー登録
ログイン
>
最近の変更
メディアマネージャー
サイトマップ
現在位置:
機械工学事典
»
生産加工・工作機械
»
分子線エピタキシー
この文書は読取専用です。文書のソースを閲覧することは可能ですが、変更はできません。もし変更したい場合は管理者に連絡してください。
====== 分子線エピタキシー ====== ==== molecular beam epitaxy ==== {{tag>..c18}} 10<sup>-8</sup>Pa以上の超高真空中で,原料を加熱して発生させた分子ビームを加熱した基板に照射することにより,基板上にエピタキシャル成長(基板単結晶に対してある特定の方位で異種の結晶膜を成長させること)膜を形成する方法.MBE法と略称される.各種半導体,金属,超電導体,絶縁体のMBEが可能であるが,特にGaAs,GaP,GaAsPなど化合物半導体膜の形成によく利用される.エピタキシャル成長させるためには,基板温度や圧力条件を最適に選定・制御することが必要となる. ~~NOCACHE~~
18/1011646.txt
· 最終更新: 2023/02/17 11:34 by
127.0.0.1
ページ用ツール
文書の表示
以前のリビジョン
バックリンク
文書の先頭へ