単結晶材料のウェットエッチングにおいて，エッチレートが結晶方位によって異なる特性を利用したエッチングのこと．また，ドライエッチングにおいてもイオン衝撃による除去作用を用いる場合には，エッチングは主に深さ方向に進行しサイドエッチの少ない異方性エッチングとなる．