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半導体の微細パターンを露光するには，露光の波長を短くする必要があり，現在では紫外線（波長193 nm等）が用いられている．さらに微細化するために，EUV (Extreme ultraviolet) 光，波長13.5 nmが検討されている．この波長はほとんどX線の領域であり，通常のレンズが使用できないなど光学系の難易度が高く，今後の課題が多い．
