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エッチング
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====== エッチング ====== ==== etching ==== {{tag>..c15 ..c18}} 溶液あるいはガス中で材料を化学的あるいは電気化学的に溶解し除去する作用,あるいはガス中でイオン衝撃によって物理的に材料を除去する作用によって材料に所定の表面性状あるいは形状を付与する加工技術をいう.光沢面などを得るために溶液中で行うエッチングを[[18:1001905|化学研磨]]という.写真技術を用いて材料表面にレジストパターンを形成しマスクされていない部分をエッチングして所定のパターン形状を持つ部品・製品を得ることを[[18:1011130|フォトエッチング]]という.一般のフォトエッチングではエッチングが深さ方向ばかりでなくレジストマスクの下にもまわり込む[[18:1009118|等方性エッチング]]になる.半導体製造工程で用いられるエッチングの方法は,液体を用いて蝕刻する[[15:1000756|ウエットエッチング]]とエッチャントと呼ばれる気体を用いて蝕刻を行う[[15:1009221|ドライエッチング]]の二つに大別される.前者は,1970年代まで主流であったが,集積回路の微細化に伴い,現在はドライエッチングが主流となっている.ドライエッチングの方法としては,塩素,水素などのガスを高温に加熱し,薄膜表面に作用させるガスエッチング,不活性ガスを用い加速されたイオンと固体との物理作用を応用したスパッタエッチングやイオンビームエッチング,最近では,減圧下の活性ガスプラズマが被加工材に直接作用するプラズマエッチングも実用化されている.狭義には,プラズマエッチングをドライエッチングということもある. ~~NOCACHE~~
18/1001113.txt
· 最終更新: 2017/07/19 08:50 by
127.0.0.1
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