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XeF$_2$ドライエッチング

XeF$_2$ dry etching

2フッ化キセノン(XeF$_2$)は,シリコンを常温でガスエッチングすることができる。ダメージレスのエッチングであり、ウェットプロセスで問題となるスティクション(貼り付き)による自立デバイスの破壊を回避できる。等方性エッチングでSiO$_2$やフォトレジスト,Al,Crなどのマスクに対して選択性が1000以上と非常に高い。