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２フッ化キセノン（XeF$_2$）は，シリコンを常温でガスエッチングすることができる。ダメージレスのエッチングであり、ウェットプロセスで問題となるスティクション（貼り付き）による自立デバイスの破壊を回避できる。等方性エッチングでSiO$_2$やフォトレジスト，Al，Crなどのマスクに対して選択性が1000以上と非常に高い。
