特別講演
「GaN デバイスが切り拓く未来と放熱技術」
名古屋大学 未来材料・システム研究所
未来エレクトロニクス集積研究センター長・特別教授
天野 浩
講演会詳細
※本講演は、一般公開は行っておりません。日本機械学会熱工学コンファレンス2026の登録参加者のみご参加いただけます。
| 日 時 | : | 2026年10月26日(月)15時45分~16時45分(開場15時15分)※予定 |
| 会 場 | : | ウインクあいち(5階小ホール2) |
| 参加費 | : | 無料(※日本機械学会熱工学コンファレンス2026参加者対象) |
講師ご略歴
1960年、静岡県浜松市生まれ。名古屋大学在学中から、当時実現が極めて困難とされていた青色LEDの研究に取り組む。恩師・赤﨑勇教授とともに約1,500回に及ぶ試行錯誤を重ね、青色LEDの実現に不可欠な高品質GaN(窒化ガリウム)結晶の作製技術とp型GaNの実現に世界で初めて成功した。これらの成果により、高効率青色LEDの実現への道を切り拓き、2014年には赤﨑勇教授、中村修二教授とともにノーベル物理学賞を受賞。現在は、GaNを用いたパワー半導体や光デバイスなど、次世代半導体の研究開発を推進している。